-
-
Koszyk jest pustySuma 0
-
Samsung Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Wpisz swój e-mail |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność | Brak towaru 0 szt. |
Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 250 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Interfejs | SATA III (6 Gb/s) |
Pojemność dysku | 250 GB |
Format dysku | 2,5 cala |
Typ dysku | SSD |
Typ złącza | 7-pin S-ATA |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Technika zapisywania danych | TLC |
Prędkość odczytu (max) | 560 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 530 MB/s |
Cache | 512 MB |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Odczyt losowy | 98000 IOPS |
Zapis losowy | 88000 IOPS |
Typ kości pamięci | V-NAND |
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci