|
|
-
SAMSUNG Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Symbol:
MZ-77E1T0B/EU
658,00 zł Brutto
0,00 zł Brutto
Zarejestruj się, aby otrzymać za ten zakup 658 punktów lojalnościowych.
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0,00 zł Brutto |
| Dostępność |
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
| Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: MLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: MLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Pojemność dysku:
1 TB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Interfejs:
SATA
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Technika zapisywania danych:
MLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Typ kości pamięci:
V-NAND
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Rekomendowane produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
