• Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC

The Symbol : MZ-V8V500BW
350.00
opak Add to wishlist
Shipping within 24 hours
The Availability Of Duża dostępność

Zamówienie telefoniczne: 517694788

Leave your phone
Rodzina dysków: 980

Pojemność dysku: 500 GB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 3100 MB/s

Prędkość zapisu (max): 2600 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0

Odczyt losowy: 400000 IOPS

Zapis losowy: 470000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Tryb uśpienia, Średni pobór mocy: Średnio: 4,3 W Maksymalnie: 5,9 W (tryb Burst), Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Interfejs M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Pojemność dysku 500 GB
Format dysku M.2 2280
Typ dysku SSD
Typ złącza M.2 (NGFF)
Technika zapisywania danych TLC
Prędkość odczytu (max) 3100 MB/s
Prędkość zapisu (max) 2600 MB/s
Rodzina dysków 980
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
TBW (ang. Total Bytes Written) 300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. Tak
Odczyt losowy 400000 IOPS
Zapis losowy 470000 IOPS
Typ kości pamięci V-NAND
There is currently no comments or ratings for this product.
  • Rate

The Whole Thing
The Functionality Of The
Price
The Signature Of The
Opinion Of The
The Signature Of The
Email
Ask a question